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參數(shù)資料

型號(hào)：	PDTA115E
廠(chǎng)商：	NXP Semiconductors N.V.
英文描述：	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW
中文描述：	PNP配電阻型晶體管；R1=100千歐姆，R2=100千歐姆
文件頁(yè)數(shù)：	1/14頁(yè)
文件大?。?/td>	93K
代理商：	PDTA115E

DATA SHEET

Product specification

Supersedes data of 2004 May 05

2004 Jul 30

DISCRETE SEMICONDUCTORS

PDTA115E series

PNP resistor-equipped transistors;

R1 = 100 k

, R2 = 100 k

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PDTA115EE,115	功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 PNP W/RES 50V RoHS:否制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTA115EE115	制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-416
PDTA115EEF	制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW

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