- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄367879 > PDTC114EK (NXP SEMICONDUCTORS) NPN resistor-equipped transistor PDF資料下載
參數資料
| 型號： | PDTC114EK |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN resistor-equipped transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-59A, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | PDTC114EK |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1998 May 19
1998 Nov 26
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PDTC114EK
NPN resistor-equipped transistor
book, halfpage
M3D114
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PDTC114ES | NPN resistor-equipped transistor |
| PDTC114E | NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kohm, R2 = 10 kohm |
| PDTC114 | NPN resistor-equipped transistor |
| PDTC114TEF | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open |
| PDTC114TK | NPN resistor-equipped transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PDTC114EK /T3 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-11 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTC114EK T/R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTC114EK,115 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTC114EK,135 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-11 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTC114EM | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Digital NPN Transistor,10k,10k,SOT-883 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。