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參數資料
| 型號： | PDTA124ES |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP resistor-equipped transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-43A, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | PDTA124ES |
2001 Jun 11
2
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistor
PDTA124EEF
FEATURES
Built-in bias resistors R1 and R2 (typical 22 k
each)
Simplification of circuit design
Reduces number of components and board space.
APPLICATIONS
Especially suitable for space reduction in interface and
driver circuits
Inverter circuit configuration without use of external
resistors.
DESCRIPTION
PNP resistor equipped transistor in an SC-89 (SOT490)
plastic package.
MARKING
PINNING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
PDTA124EEF
3R
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base/input
emitter/ground (+)
collector/output
handbook, halfpage
MAM413
1
2
3
R1
R2
1
Top view
2
3
Fig.1
Simplified outline (SC-89; SOT490)
and symbol.
MGA893 - 1
1
3
2
Fig.2 Equivalent circuit.
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Note
1.
Refer to SC-89 (SOT490) standard mounting conditions.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
50
50
10
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
V
I
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
input voltage
positive
negative
output current (DC)
peak collector current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
V
V
V
65
65
+10
40
100
100
250
+150
150
+150
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
I
O
I
CM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
T
amb
≤
25
°
C; note 1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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