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參數資料
型號: PDTA124ES
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: PNP resistor-equipped transistor
中文描述: 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
文件頁數: 6/8頁
文件大小: 48K
代理商: PDTA124ES
2001 Jun 11
6
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistor
PDTA124EEF
NOTES
相關PDF資料
PDF描述
PDTA143TEF TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-490
PDTA143XEF TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-490
PDTA143XK TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346
PDTA143ZEF PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm
PDTA143ZK PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm
相關代理商/技術參數
參數描述
PDTA124ES,126 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTA124ET 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR DIGITAL SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, DIGITAL, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, DIGITAL, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency Typ ft:180MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:60; Operating Temperature ;RoHS Compliant: Yes 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Digital PNP Transistor,22k,22k,SOT-23
PDTA124ET T/R 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTA124ET,215 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTA124ET,235 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 PNP RESISTOR-EQUIPD TRANSISTORS RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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