- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382388 > PDTA143TEF TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-490 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | PDTA143TEF |
| 英文描述： | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-490 |
| 中文描述： | 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的SOT - 490 |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | PDTA143TEF |
2002 Jan 15
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistor;
R1 = 4.7 k
, R2 = open
PDTA143TEF
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Note
1.
For mounting conditions, see “Thermal considerations and footprint design for SOT490 in the SC18 Data Handbook”
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
For mounting conditions, see “Thermal considerations and footprint design for SOT490 in the SC18 Data Handbook”
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
50
50
10
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
V
i
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
input voltage
positive
negative
output current (DC)
peak collector current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
V
V
V
65
65
+10
40
100
100
250
+150
150
+150
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
I
O
I
CM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
T
amb
≤
25
°
C; note 1
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to
ambient
in free air; note 1
500
K/W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PDTA143XEF | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-490 |
| PDTA143XK | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346 |
| PDTA143ZEF | PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm |
| PDTA143ZK | PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm |
| PDTA143Z | PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PDTA143TK | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kΩ, R2 = open |
| PDTA143TK T/R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTA143TK,115 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTA143TM | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors: R1 = 4.7 KOHM, R2 = open |
| PDTA143TM T/R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。