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參數資料
| 型號： | PDTA143Z |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm |
| 中文描述： | PNP配電阻型晶體管；R1=4.7千歐姆，R2=47千歐姆 |
| 文件頁數： | 1/14頁 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | PDTA143Z |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 2003 Sep 08
2004 Aug 05
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PDTA143Z series
PNP resistor-equipped transistors;
R1 = 4.7 k
, R2 = 47 k
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PDTA143ZS | PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm |
| PDTA143 | PNP resistor-equipped transistor |
| PDTA143EK | PNP resistor-equipped transistor |
| PDTA143ES | PNP resistor-equipped transistor |
| PDTA144 | PNP resistor-equipped transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PDTA143ZE | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kW, R2 = 47 kW |
| PDTA143ZE T/R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 PNP W/RES 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTA143ZE,115 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 PNP W/RES 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTA143ZE115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-416 |
| PDTA143ZEF | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kW, R2 = 47 kW |
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