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參數資料
| 型號： | PDTA143Z |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm |
| 中文描述： | PNP配電阻型晶體管；R1=4.7千歐姆，R2=47千歐姆 |
| 文件頁數： | 12/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 92K |
| 代理商： | PDTA143Z |
2004 Aug 05
12
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistors;
R1 = 4.7 k
, R2 = 47 k
PDTA143Z series
UNIT
A
1
max.
A
(1)
b
b
1
e
1
e
L
L
1
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
mm
0.50
0.46
0.20
0.12
0.55
0.47
0.03
0.62
0.55
0.35
0.65
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Note
1. Including plating thickness
0.30
0.22
0.30
0.22
SOT883
SC-101
03-02-05
03-04-03
D
E
1.02
0.95
L
E
2
3
1
b
b1
A1
A
D
L1
0
0.5
1 mm
scale
Leadless ultra small plastic package; 3 solder lands; body 1.0 x 0.6 x 0.5 mm
SOT883
e
e1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PDTA143ZS | PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm |
| PDTA143 | PNP resistor-equipped transistor |
| PDTA143EK | PNP resistor-equipped transistor |
| PDTA143ES | PNP resistor-equipped transistor |
| PDTA144 | PNP resistor-equipped transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PDTA143ZE | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kW, R2 = 47 kW |
| PDTA143ZE T/R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 PNP W/RES 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTA143ZE,115 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 PNP W/RES 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTA143ZE115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-416 |
| PDTA143ZEF | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kW, R2 = 47 kW |
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