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參數資料
| 型號： | PDTA143Z |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm |
| 中文描述： | PNP配電阻型晶體管；R1=4.7千歐姆，R2=47千歐姆 |
| 文件頁數： | 5/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 92K |
| 代理商： | PDTA143Z |
2004 Aug 05
5
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistors;
R1 = 4.7 k
, R2 = 47 k
PDTA143Z series
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
100
1.3
3.3
TYP.
0.6
0.9
4.7
MAX.
100
1
50
170
100
0.5
6.1
UNIT
I
CBO
I
CEO
collector-base cut-off current
collector-emitter cut-off current
V
CB
=
50 V; I
E
= 0
V
CE
=
30 V; I
B
= 0
V
CE
=
30 V; I
B
= 0; T
j
= 150
°
C
V
EB
=
5 V; I
C
= 0
V
CE
=
5 V; I
C
=
10 mA
I
C
=
5 mA; I
B
=
0.25 mA
I
C
=
100
μ
A; V
CE
=
5 V
I
C
=
5 mA; V
CE
=
0.3 V
nA
μ
A
μ
A
μ
A
I
EBO
h
FE
V
CEsat
V
i(off)
V
i(on)
R1
emitter-base cut-off current
DC current gain
collector-emitter saturation voltage
input-off voltage
input-on voltage
input resistor
mV
V
V
k
resistor ratio
8
10
12
C
c
collector capacitance
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10 V; f = 1 MHz
3
pF
R1
R2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| PDTA143ZS | PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PDTA143ZE | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kW, R2 = 47 kW |
| PDTA143ZE T/R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 PNP W/RES 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTA143ZE,115 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 PNP W/RES 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTA143ZE115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-416 |
| PDTA143ZEF | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kW, R2 = 47 kW |
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