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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PDTB123YK |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors |
| 中文描述： | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-59A, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/10頁(yè) |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | PDTB123YK |
9397 750 14905
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 27 April 2005
5 of 10
Philips Semiconductors
PDTB123Y series
PNP 500 mA resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k
, R2 = 10 k
V
CE
=
5 V
(1) T
amb
= 100
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
40
°
C
Fig 1.
DC current gain as a function of collector
current; typical values
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 100
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
40
°
C
Fig 2.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
V
CE
=
0.3 V
(1) T
amb
=
40
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 100
°
C
Fig 3.
On-state input voltage as a function of collector
current; typical values
V
CE
=
5 V
(1) T
amb
=
40
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 100
°
C
Fig 4.
Off-state input voltage as a function of collector
current; typical values
006aaa357
10
10
2
10
3
h
FE
1
10
1
I
C
(mA)
10
3
10
2
1
10
(1)
(2)
(3)
006aaa358
I
C
(mA)
1
10
2
10
10
1
V
CEsat
(V)
10
2
(1)
(2)
(3)
006aaa359
I
C
(mA)
10
1
10
3
10
2
1
10
1
10
V
I(on)
(V)
10
1
(1)
(2)
(3)
I
C
(mA)
10
1
10
1
006aaa360
1
10
V
I(off)
(V)
10
1
(1)
(2)
(3)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PDTB123YS | PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors |
| PDTC123JEF | NPN resistor-equipped transistor |
| PDTC123 | NPN resistor-equipped transistor |
| PDTC123J | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM |
| PDTC123JK | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PDTB123YK T/R | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTB123YK,115 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTB123YS | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 10 kΩ |
| PDTB123YS,126 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 500 MA RET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTB123YT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP 50V 0.5A SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, PNP, 50V, 0.5A, SOT-23 |
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