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參數(shù)資料
型號: PDTC123J
廠商: NXP Semiconductors N.V.
英文描述: NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
中文描述: NPN配電阻型晶體管;R1=2.2千歐姆,R2=47千歐姆
文件頁數(shù): 1/14頁
文件大小: 92K
代理商: PDTC123J
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 2003 Apr 10
2004 Aug 13
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PDTC123J series
NPN resistor-equipped transistors;
R1 = 2.2 k
, R2 = 47 k
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PDF描述
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參數(shù)描述
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PDTC123JE T/R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTC123JE,115 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTC123JE115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN 2K2/47K 50V 0.1A SOT416
PDTC123JEF 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
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