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參數資料
型號: PDTC123J
廠商: NXP Semiconductors N.V.
英文描述: NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
中文描述: NPN配電阻型晶體管;R1=2.2千歐姆,R2=47千歐姆
文件頁數: 9/14頁
文件大小: 92K
代理商: PDTC123J
2004 Aug 13
9
Philips Semiconductors
Product specification
NPN resistor-equipped transistors;
R1 = 2.2 k
, R2 = 47 k
PDTC123J series
UNIT
A
1
max.
A
(1)
b
b
1
e
1
e
L
L
1
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
mm
0.50
0.46
0.20
0.12
0.55
0.47
0.03
0.62
0.55
0.35
0.65
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Note
1. Including plating thickness
0.30
0.22
0.30
0.22
SOT883
SC-101
03-02-05
03-04-03
D
E
1.02
0.95
L
E
2
3
1
b
b1
A1
A
D
L1
0
0.5
1 mm
scale
Leadless ultra small plastic package; 3 solder lands; body 1.0 x 0.6 x 0.5 mm
SOT883
e
e1
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PDF描述
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參數描述
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