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參數資料
| 型號： | PDTC123J |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM |
| 中文描述： | NPN配電阻型晶體管;R1=2.2千歐姆，R2=47千歐姆 |
| 文件頁數： | 5/14頁 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | PDTC123J |
2004 Aug 13
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN resistor-equipped transistors;
R1 = 2.2 k
, R2 = 47 k
PDTC123J series
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
100
1.1
1.54
TYP.
0.6
0.75
2.2
MAX.
UNIT
I
CBO
I
CEO
collector-base cut-off current
collector-emitter cut-off current
V
CB
= 50 V; I
E
= 0
V
CE
= 30 V; I
B
= 0
V
CE
= 30 V; I
B
= 0; T
j
= 150
°
C
V
EB
= 5 V; I
C
= 0
V
CE
= 5 V; I
C
= 10 mA
I
C
= 5 mA; I
B
= 0.25 mA
I
C
= 100
μ
A; V
CE
= 5 V
I
C
= 5 mA; V
CE
= 0.3 V
100
1
50
180
100
0.5
2.86
nA
μ
A
μ
A
μ
A
I
EBO
h
FE
V
CEsat
V
i(off)
V
i(on)
R1
emitter-base cut-off current
DC current gain
collector-emitter saturation voltage
input-off voltage
input-on voltage
input resistor
mV
V
V
k
resistor ratio
17
21
26
C
c
collector capacitance
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz
2.5
pF
R1
R2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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