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參數資料
| 型號： | PDTB123YS |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors |
| 中文描述： | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-43A, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/10頁 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | PDTB123YS |
9397 750 14905
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 27 April 2005
3 of 10
Philips Semiconductors
PDTB123Y series
PNP 500 mA resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k
, R2 = 10 k
3.
Ordering information
[1]
Also available in SOT54A and SOT54 variant packages (see
Section 2
and
Section 9
).
4.
Marking
[1]
* = -: made in Hong Kong
* = p: made in Hong Kong
* = t: made in Malaysia
* = W: made in China
5.
Limiting values
[1]
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard
footprint.
Table 4:
Type number
Ordering information
Package
Name
SC-59A
SC-43A
Description
plastic surface mounted package; 3 leads
plastic single-ended leaded (through hole) package;
3 leads
plastic surface mounted package; 3 leads
Version
SOT346
SOT54
PDTB123YK
PDTB123YS
[1]
PDTB123YT
-
SOT23
Table 5:
Type number
PDTB123YK
PDTB123YS
PDTB123YT
Marking codes
Marking code
[1]
E8
B123YS
*7Y
Table 6:
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
CBO
collector-base voltage
V
CEO
collector-emitter voltage
V
EBO
emitter-base voltage
V
I
input voltage
positive
negative
I
O
output current (DC)
P
tot
total power dissipation
SOT346
SOT54
SOT23
T
stg
storage temperature
T
j
junction temperature
T
amb
ambient temperature
Limiting values
Conditions
open emitter
open base
open collector
Min
-
-
-
Max
50
50
5
Unit
V
V
V
-
-
-
+5
12
500
V
V
mA
T
amb
≤
25
°
C
[1]
-
250
500
250
+150
150
+150
mW
mW
mW
°
C
°
C
°
C
[1]
-
[1]
-
65
-
65
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PDTC123JEF | NPN resistor-equipped transistor |
| PDTC123 | NPN resistor-equipped transistor |
| PDTC123J | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM |
| PDTC123JK | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM |
| PDTC123JS | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PDTB123YS,126 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 500 MA RET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTB123YT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP 50V 0.5A SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, PNP, 50V, 0.5A, SOT-23 |
| PDTB123YT T/R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTB123YT,215 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTB123YT/APGR | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR |
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