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參數資料
| 型號： | PDTC143E |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | NPN resistor-equipped transistor |
| 中文描述： | NPN配電阻型晶體管 |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | PDTC143E |
1998 Jul 31
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN resistor-equipped transistor
PDTC143EE
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 5 V.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
40
°
C.
handbook, halfpage
MGM920
10
1
1
10
10
2
IC (mA)
hFE
3
10
10
2
1
(3)
(1)
(2)
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 100
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
40
°
C.
handbook, halfpage
MGM919
1
10
10
2
(2)
(3)
(1)
10
1
10
2
IC (mA)
VCEsat
(V)
Fig.5
Input-off voltage as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 5 V.
(1) T
amb
=
40
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 100
°
C.
handbook, halfpage
(2)
(3)
(1)
1
10
1
MGM922
10
2
10
1
1
10
IC (mA)
Vi(off)
(V)
Fig.6
Input-on voltage as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 0.3 V.
(1) T
amb
=
40
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 100
°
C.
handbook, halfpage
2
1
10
10
1
MGM921
10
1
1
10
10
2
IC (mA)
Vi(on)
(V)
(1)(2)(3)
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