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參數資料
| 型號： | PDTC143Z |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kohm, R2 = 47 kohm |
| 中文描述： | NPN配電阻型晶體管;R1=4.7 千歐姆, R2 =47 千歐姆 |
| 文件頁數： | 12/14頁 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | PDTC143Z |
2004 Aug 16
12
Philips Semiconductors
Product specification
NPN resistor-equipped transistors;
R1 = 4.7 k
, R2 = 47 k
PDTC143Z series
UNIT
b
p
c
D
E
e
1
H
E
L
p
w
v
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
98-10-23
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
0.33
0.23
0.2
0.1
1.7
1.5
0.95
0.75
0.5
e
1.0
1.7
1.5
0.1
0.1
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.5
0.3
SOT490
SC-89
bp
D
e1
e
A
Lp
detail X
HE
E
w
M
v
M
A
B
A
B
0
1
2 mm
scale
A
0.8
0.6
c
X
1
2
3
Plastic surface mounted package; 3 leads
SOT490
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PDTC143ZS | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kohm, R2 = 47 kohm |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| PDTC143ZE T/R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN W/RES 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTC143ZE,115 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN W/RES 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTC143ZE115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BRT TRANSISTOR NPN 50V 100M 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-416 |
| PDTC143ZEF | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 47 kΩ |
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