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參數資料
型號: PDTC143Z
廠商: NXP Semiconductors N.V.
英文描述: NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kohm, R2 = 47 kohm
中文描述: NPN配電阻型晶體管;R1=4.7 千歐姆, R2 =47 千歐姆
文件頁數: 2/14頁
文件大小: 93K
代理商: PDTC143Z
2004 Aug 16
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN resistor-equipped transistors;
R1 = 4.7 k
, R2 = 47 k
PDTC143Z series
FEATURES
Built-in bias resistors
Simplified circuit design
Reduction of component count
Reduced pick and place costs.
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification
Inverter and interface circuits
Circuit driver.
QUICK REFERENCE DATA
DESCRIPTION
NPN resistor-equipped transistor (see “Simplified outline,
symbol and pinning” for package details).
SYMBOL
PARAMETER
TYP.
MAX.
UNIT
V
CEO
collector-emitter
voltage
output current (DC)
bias resistor
bias resistor
50
V
I
O
R1
R2
4.7
47
100
mA
k
k
PRODUCT OVERVIEW
Note
1.
* = p: Made in Hong Kong.
* = t: Made in Malaysia.
* = W: Made in China.
TYPE NUMBER
PACKAGE
MARKING CODE
PNP COMPLEMENT
PHILIPS
EIAJ
PDTC143ZE
PDTC143ZEF
PDTC143ZK
PDTC143ZM
PDTC143ZS
PDTC143ZT
PDTC143ZU
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 (TO-92)
SOT23
SOT323
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
38
53
18
E3
PDTA143ZE
PDTA143ZEF
PDTA143ZK
PDTA143ZM
PDTA143ZS
PDTA143ZT
PDTA143ZU
TC143Z
*18
(1)
*54
(1)
相關PDF資料
PDF描述
PDTC143ZS NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kohm, R2 = 47 kohm
PDTC143ZK NPN resistor-equipped transistor
PDTC143EK NPN resistor-equipped transistor
PDTC143ES NPN resistor-equipped transistor
PDTC144E NPN resistor-equipped transistors; R1 = 47 k ohm, R2 = 47 k ohm
相關代理商/技術參數
參數描述
PDTC143ZE 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kW, R2 = 47 kW
PDTC143ZE T/R 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN W/RES 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTC143ZE,115 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN W/RES 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTC143ZE115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BRT TRANSISTOR NPN 50V 100M 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-416
PDTC143ZEF 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 47 kΩ
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