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參數資料
| 型號： | PH7030L |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| 中文描述： | 68 A, 30 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235 |
| 封裝： | PLASTIC, LFPAK-4 |
| 文件頁數： | 9/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 89K |
| 代理商： | PH7030L |
9397 750 14206
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 7 March 2005
9 of 12
Philips Semiconductors
PH7030L
N-channel TrenchMOS logic level FET
7.
Package outline
Fig 14. Package outline SOT669 (LFPAK)
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
SOT669
MO-235
03-09-15
04-10-13
0
2.5
5 mm
scale
e
E1
b
c2
A2
A2
b
c
A
e
UNIT
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
mm
1.10
0.95
A3
A1
0.15
0.00
1.20
1.01
0.50
0.35
b2
4.41
3.62
b3
2.2
2.0
b4
0.9
0.7
0.25
0.19
c2
0.30
0.24
4.10
3.80
6.2
5.8
H
1.3
0.8
L2
0.85
0.40
L
1.3
0.8
L1
8
°
0
°
w
y
D
(1)
5.0
4.8
E
(1)
3.3
3.1
E1
(1)
D1
(1)
max
0.25
4.20
1.27
0.25
0.1
1
2
3
4
mounting
base
D1
c
Plastic single-ended surface mounted package (LFPAK); 4 leads
SOT669
E
b2
b3
b4
H
D
L2
L1
A
A
w
M
C
C
X
1/2
e
y C
θ
θ
(A )
3
L
A
A1
detail X
Note
1. Plastic or metal protrusions of 0.15 mm maximum per side are not included.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB100N03LT | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PHB101NQ03LT | TrenchMOS⑩ logic level FET |
| PHB108NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHD108NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHP108NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PH7030L,115 | 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PH7030L | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V LFPAK |
| PH7110-15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Simple function, 50 to 600W DC-DC converters |
| PH713 | 制造商:YOKAG 功能描述: |
| PH-713-52 | 制造商:RAYTHN 功能描述: |
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