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參數(shù)資料
型號: PHB108NQ03LT
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: JFETs
英文描述: TrenchMOS logic level FET
中文描述: 75 A, 25 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù): 11/14頁
文件大?。?/td> 269K
代理商: PHB108NQ03LT
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD108NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 02 — 11 September 2002
11 of 14
9397 750 10159
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
Fig 16. SOT428 (D-PAK).
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
SOT428
TO-252
SC-63
99-09-13
01-12-11
0
10
20 mm
scale
Plastic single-ended surface mounted package (Philips version of D-PAK); 3 leads
(one lead cropped)
SOT428
E
b2
E1
w
A
M
b
c
b1
L1
L
1
3
2
D
D1
HE
L2
Note
1. Measured from heatsink back to lead.
e1
e
A
A2
A
A1
y
seating plane
mounting
base
A1
(1)
D
b
E1
E
HE
w
y
max.
A2
b2
b1
c
D1
min.
e
e1
L1
min.
L2
L
A
UNIT
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.2
0.2
mm
2.38
2.22
0.65
0.45
0.93
0.73
0.89
0.71
1.1
0.9
5.46
5.26
0.4
0.2
6.22
5.98
4.81
4.45
2.285
4.57
10.4
9.6
0.5
0.9
0.5
6.73
6.47
4.0
2.95
2.55
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PDF描述
PHD108NQ03LT TrenchMOS logic level FET
PHP108NQ03LT TrenchMOS logic level FET
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參數(shù)描述
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PHB108NQ03LT,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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