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參數資料
| 型號： | PHB108NQ03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS logic level FET |
| 中文描述： | 75 A, 25 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 6/14頁 |
| 文件大小： | 269K |
| 代理商： | PHB108NQ03LT |
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD108NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 02 — 11 September 2002
6 of 14
9397 750 10159
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
DS
>
I
D
×
R
DSon
Fig 6.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 5.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
003aaa192
0
10
20
30
40
0
0.5
1
1.5
2
VDS (V)
ID
(A)
2.4 V
2.2 V
3 V
2.8 V
2.6 V
10 V
5 V
4 V
3.5 V
003aaa193
0
10
20
30
40
1
2
3
4
VGS (V)
ID
(A)
VDS > ID x RDSon
Tj = 175
°
C
25
°
C
003aaa194
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0
5
10
15
20
ID (A)
RDSon
(
)
VGS = 2.8 V
3.5 V
5 V
10 V
2.6 V
3 V
03aa27
0
0.5
1
1.5
2
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
a
a
R
DSon 25
°
C
)
-----------------------------
=
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHD108NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHP108NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHB11N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB125N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB125N06T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHB108NQ03LT /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB108NQ03LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB10N40 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor |
| PHB10N40T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10.7A I(D) | SOT-404 |
| PHB110NQ06LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET |
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