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參數資料
| 型號： | PHB11N06LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| 中文描述： | 10.3 A, 55 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | PHB11N06LT |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHB11N06LT, PHD11N06LT
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
)
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
0
2
4
6
8
10
12
0
5
10
15
PHB11N06LT
Qg, Gate charge (nC)
VGS, Gate-Source voltage (Volts)
VDD = 44 V
ID = 11 A
Tj = 25 C
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
0.2
0.4
Source-drain voltage, VSDS (V)
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
5
10
15
20
PHB11N06LT
VGS = 0V
Source-drain diode current, IF (A)
Tj = 25 C
175 C
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
September 1998
6
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB125N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB125N06T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB130N03LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB130N03T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB14NQ20T | TrenchMOS standard level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHB11N06LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB11N50E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHB12-101 | 制造商:Power-One 功能描述: |
| PHB125N06LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB125N06T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET |
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