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參數資料
| 型號： | PHB11N06LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| 中文描述： | 10.3 A, 55 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 7/9頁 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | PHB11N06LT |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHB11N06LT, PHD11N06LT
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 1.4 g
Fig.17. SOT404 : centre pin connected to mounting base.
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
Fig.18. SOT404 : soldering pattern for surface mounting
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
11 max
4.5 max
1.4 max
10.3 max
0.5
15.4
2.5
0.85 max
(x2)
2.54 (x2)
17.5
11.5
9.0
5.08
3.8
2.0
September 1998
7
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB125N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB125N06T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB130N03LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB130N03T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB14NQ20T | TrenchMOS standard level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHB11N06LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB11N50E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHB12-101 | 制造商:Power-One 功能描述: |
| PHB125N06LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB125N06T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET |
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