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參數(shù)資料
| 型號： | PHB11N50E |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| 中文描述： | 10.9 A, 500 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | SOT-404, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | PHB11N50E |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistors
Avalanche energy rated
PHB11N50E, PHW11N50E
SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
T
mb
= 25C
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
10.9
A
T
mb
= 25C
-
-
44
A
I
S
= 11 A; V
GS
= 0 V
I
S
= 11 A; V
GS
= 0 V; dI/dt = 100 A/
μ
s
-
-
-
-
1.2
-
-
V
ns
μ
C
630
6.9
December 1998
3
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHW14N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHW20N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHW50NQ15T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHW7N60 | PowerMOS transistor |
| PHX10N40E | Circular Connector; Body Material:Aluminum Alloy; Series:KPT00; No. of Contacts:16; Connector Shell Size:20; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Circular Contact Gender:Pin RoHS Compliant: No |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHB12-101 | 制造商:Power-One 功能描述: |
| PHB125N06LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET |
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| PHB129NQ04LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET |
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