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參數資料
| 型號： | PHB3055E |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | SOT-404 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 12A條（丁）|采用SOT - 404 |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 512K |
| 代理商： | PHB3055E |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB30NQ15T | CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14 |
| PHB64N03LT | RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS |
| PHB78NQ03LT | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PHD78NQ03LT | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PHB95N03LTA | 3.3V Dual Micropower High-Side/Low-Side MOSFET Driver; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHB30NQ15T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor |
| PHB32N06LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PHB32N06LT /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB32N06LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB33NQ20T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS⑩ standard level FET |
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