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參數(shù)資料
| 型號： | PHB78NQ03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| 中文描述： | 40 A, 25 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/14頁 |
| 文件大小： | 292K |
| 代理商： | PHB78NQ03LT |
PHP/PHB/PHD78NQ03LT
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev. 01 — 14 November 2001
Product data
1.
Product profile
1.1 Description
N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS technology.
Product availability:
PHP78NQ03LT in SOT78 (TO-220AB)
PHB78NQ03LT in SOT404 (D
2
-PAK)
PHD78NQ03LT in SOT428 (D-PAK).
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
[1]
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 or SOT428 packages.
I
Low on-state resistance
I
Fast switching
I
Computer motherboards
I
DC to DC converters
I
V
DS
= 25 V
I
P
tot
= 93 W (
T
mb
= 25
°
C)
I
I
D
= 75 A (
T
mb
= 25
°
C)
I
R
DSon
= 9 m
(
T
j
= 25
°
C)
Table 1:
Pin
1
2
3
mb
Pinning - SOT78, SOT404, SOT428 simplified outlines and symbol
Description
Simplified outline
gate (g)
drain (d)
source (s)
mounting base,
connected to
drain (d)
Symbol
SOT78 (TO-220AB)
SOT404 (D
2
-PAK)
SOT428 (D-PAK)
[1]
MBK106
1 2
mb
3
1
3
2
MBK116
mb
MBK091
Top view
1
3
mb
2
s
d
g
MBB076
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHD78NQ03LT | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PHB95N03LTA | 3.3V Dual Micropower High-Side/Low-Side MOSFET Driver; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C |
| PHB95NQ04LT | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PHD12N10E | PowerMOS transistor |
| PHD16N03T | TrenchMOS standard level FET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHB78NQ03LT /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB78NQ03LT,118 | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 40A SOT404 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| PHB7N40E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHB7N60E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHB80N06LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET |
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