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參數資料
| 型號： | PHB65N06T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| 中文描述： | 63 A, 55 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | PHB65N06T |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHB65N06T
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 50 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 75 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
Fig.17. Switching test circuit.
0
10
20
30
40
0
2
4
6
8
10
12
VGS/V
QG/nC
VDS = 14V
VDS = 44V
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
20
40
60
80
100
IF/A
VSDS/V
Tj/C = 175
25
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
RD
T.U.T.
VDD
RG
VDS
+
-
VGS
0
November 1997
6
Rev 1.100
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB87NO3T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB9N60E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHW9N60E | GT 10C 10#16 SKT PLUG RTANG |
| PHB9NQ20T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHC20306 | Complementary enhancement mode MOS transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHB65N06TT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 63A I(D) | SOT-404 |
| PHB66NQ03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PHB66NQ03LT /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB66NQ03LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB69N03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET |
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