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參數資料
| 型號： | PHC20306 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Complementary enhancement mode MOS transistor |
| 中文描述： | 8200 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA |
| 封裝： | PLASTIC, SOT96-1, SO-8 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | PHC20306 |
DATA SHEET
Objective specification
File under Discrete Semiconductors, SC13b
1998 Feb 18
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PHC20306
Complementary enhancement
mode MOS transistor
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHC20512 | Complementary enhancement mode MOS transistors |
| PHD18NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHD21N06LT | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHD22NQ20T | N-channel TrenchMOS?? standard level FET |
| PHD22NQ20T-01 | N-channel TrenchMOS?? standard level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHC20512 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Complementary enhancement mode MOS transistors |
| PHC21025 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET Dual N/P-Ch 30V 3.5A/2.3A SOIC8 |
| PHC21025 /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE-7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHC21025,118 | 功能描述:MOSFET TAPE-7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHC21025118 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 3.5A SOT96-1 |
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