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參數資料
型號: PHC20306
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Complementary enhancement mode MOS transistor
中文描述: 8200 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA
封裝: PLASTIC, SOT96-1, SO-8
文件頁數: 6/8頁
文件大小: 55K
代理商: PHC20306
1998 Feb 18
6
Philips Semiconductors
Objective specification
Complementary enhancement
mode MOS transistor
PHC20306
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A
max.
A
1
A
2
A
3
b
p
c
D
(1)
E
(2)
(1)
e
H
E
L
L
p
Q
Z
y
w
v
θ
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
inches
1.75
0.25
0.10
1.45
1.25
0.25
0.49
0.36
0.25
0.19
5.0
4.8
4.0
3.8
1.27
6.2
5.8
1.05
0.7
0.6
0.7
0.3
8
0
o
o
0.25
0.1
0.25
DIMENSIONS (inch dimensions are derived from the original mm dimensions)
Notes
1. Plastic or metal protrusions of 0.15 mm maximum per side are not included.
2. Plastic or metal protrusions of 0.25 mm maximum per side are not included.
1.0
0.4
SOT96-1
X
w
M
θ
A
A
1
A
2
b
p
D
H
E
L
p
L
Q
detail X
E
Z
e
c
v
M
A
(A )
3
A
4
5
pin 1 index
1
8
y
076E03S
MS-012AA
0.069
0.010
0.004
0.057
0.049
0.01
0.019
0.014
0.0100
0.0075
0.20
0.19
0.16
0.15
0.050
0.244
0.228
0.028
0.024
0.028
0.012
0.01
0.01
0.041
0.004
0.039
0.016
0
2.5
5 mm
scale
SO8: plastic small outline package; 8 leads; body width 3.9 mm
SOT96-1
95-02-04
97-05-22
相關PDF資料
PDF描述
PHC20512 Complementary enhancement mode MOS transistors
PHD18NQ10T N-channel TrenchMOS transistor
PHD21N06LT N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
PHD22NQ20T N-channel TrenchMOS?? standard level FET
PHD22NQ20T-01 N-channel TrenchMOS?? standard level FET
相關代理商/技術參數
參數描述
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