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參數資料
| 型號： | PHB9NQ20T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS transistor |
| 中文描述： | 8.7 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 3/12頁 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | PHB9NQ20T |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
PHP9NQ20T, PHB9NQ20T
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
9
A
-
-
36
A
I
F
= 9 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 9 A; -dI
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= -10 V; V
R
= 25 V
-
-
-
0.85
92
0.5
1.2
-
-
V
ns
μ
C
August 1999
3
Rev 1.100
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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