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參數(shù)資料
| 型號： | PHD108NQ03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS logic level FET |
| 中文描述： | 75 A, 25 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 封裝： | PLASTIC, SC-63, TO-252, DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/14頁 |
| 文件大小： | 269K |
| 代理商： | PHD108NQ03LT |
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD108NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 02 — 11 September 2002
3 of 14
9397 750 10159
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
V
GS
≥
5 V
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa16
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tmb (
°
C)
Pder
(%)
03aa24
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tmb (
°
C)
Ider
(%)
P
der
P
tot 25 C
)
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
)
-------------------
100
%
×
=
003aaa190
1
10
102
103
1
10
102
VDS (V)
ID
(A)
DC
100
μ
s
10 ms
Limit RDSon = VDS / ID
1 ms
tp = 10
μ
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP108NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHB11N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB125N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB125N06T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB130N03LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHD108NQ03LT /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PHD108NQ03LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHD108NQ03LT118 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 25V 75A DPAK |
| PHD10N10E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor |
| PHD110NQ03LT,118 | 功能描述:MOSFET TRENCH<=30 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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