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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHD108NQ03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS logic level FET |
| 中文描述： | 75 A, 25 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 封裝： | PLASTIC, SC-63, TO-252, DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 6/14頁 |
| 文件大小： | 269K |
| 代理商： | PHD108NQ03LT |
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD108NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 02 — 11 September 2002
6 of 14
9397 750 10159
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
DS
>
I
D
×
R
DSon
Fig 6.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 5.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
003aaa192
0
10
20
30
40
0
0.5
1
1.5
2
VDS (V)
ID
(A)
2.4 V
2.2 V
3 V
2.8 V
2.6 V
10 V
5 V
4 V
3.5 V
003aaa193
0
10
20
30
40
1
2
3
4
VGS (V)
ID
(A)
VDS > ID x RDSon
Tj = 175
°
C
25
°
C
003aaa194
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0
5
10
15
20
ID (A)
RDSon
(
)
VGS = 2.8 V
3.5 V
5 V
10 V
2.6 V
3 V
03aa27
0
0.5
1
1.5
2
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
a
a
R
DSon 25
°
C
)
-----------------------------
=
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP108NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHB11N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB125N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB125N06T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB130N03LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHD108NQ03LT /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PHD108NQ03LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHD108NQ03LT118 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 25V 75A DPAK |
| PHD10N10E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor |
| PHD110NQ03LT,118 | 功能描述:MOSFET TRENCH<=30 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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