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參數資料
型號: PHD23NQ10T
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: JFETs
英文描述: N-channel TrenchMOS transistor
中文描述: 23 A, 100 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數: 10/12頁
文件大小: 99K
代理商: PHD23NQ10T
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHP23NQ10T, PHB23NQ10T
PHD23NQ10T
MECHANICAL DATA
Fig.19. SOT428 surface mounting package. Centre pin connected to mounting base.
Notes
1. This product is supplied in anti-static packaging. The gate-source input must be protected against static
discharge during transport or handling.
2. Refer to SMD Footprint Design and Soldering Guidelines, Data Handbook SC18.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT428
98-04-07
0
10
20 mm
scale
Plastic single-ended surface mounted package (Philips version of D-PAK); 3 leads
(one lead cropped)
SOT428
E
b2
D1
w
A
M
b
c
b1
L1
L
1
3
2
D
E1
HE
L2
Note
1. Measured from heatsink back to lead.
e1
e
A
A2
A
A1
y
seating plane
mounting
base
A1
(1)
D
max.
b
D1
max.
E
max.
HE
max.
w
y
max.
A2
b2
b1
max.
c
E1
e
e1
L1
min.
L2
L
A
max.
UNIT
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.2
0.2
mm
2.38
2.22
0.65
0.45
0.89
0.71
0.89
0.71
1.1
0.9
5.36
5.26
0.4
0.2
6.22
5.98
4.81
4.45
2.285
4.57
10.4
9.6
0.5
0.7
0.5
6.73
6.47
4.0
2.95
2.55
August 1999
10
Rev 1.100
相關PDF資料
PDF描述
PHP23NQ15T N-channel TrenchMOS transistor
PHB23NQ15T N-channel TrenchMOS transistor
PHP24N03T TrenchMOS transistor Standard level FET
PHP26N10E PowerMOS transistor
PHP27NQ10T N-channel TrenchMOS transistor
相關代理商/技術參數
參數描述
PHD23NQ10T,118 功能描述:MOSFET TRENCH-100 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHD24N03 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET
PHD24N03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET
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PHD2N50E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated
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