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參數資料
| 型號： | PHD3N20E |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistor |
| 中文描述： | 3.5 A, 200 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | PHD3N20E |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
PHD3N20E
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm : Net Mass: 1.4 g
Fig.19. SOT428 : centre pin connected to mounting base.
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
Fig.20. SOT428 : soldering pattern for surface mounting
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
6.22 max
2.38 max
0.93 max
6.73 max
tab
0.3
0.5
10.4 max
0.5
0.8 max
(x2)
2.285 (x2)
seating plane
1.1
0.5 min
5.4
4 min
4.6
1
2
3
7.0
7.0
2.15
2.5
4.57
1.5
September 1997
6
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHD3N20L | PowerMOS transistor Logic level FET |
| PHD95N03LT | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PHK4NQ20T | TrenchMOS standard level FET |
| PHM21NQ15T | TrenchMOS standard level FET |
| PHM25NQ10T | TrenchMOS standard level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHD3N20L | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level FET |
| PHD3N40E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHD44N06LT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N D-PAK |
| PHD45N03LTA | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PHD45N03LTA,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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