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參數資料
| 型號： | PHD63NQ03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS logic level FET |
| 中文描述： | 68.9 A, 30 V, 0.0177 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-63, DPAK-3 |
| 文件頁數： | 12/14頁 |
| 文件大小： | 104K |
| 代理商： | PHD63NQ03LT |
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD63NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 14 June 2002
12 of 14
9397 750 09822
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
7.
Revision history
Table 5:
Rev Date
01
Revision history
CPCN
20020614
Description
Product data; initial version
-
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP63NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHB65N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB65N06T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB87NO3T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB9N60E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHD63NQ03LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHD63NQ03LT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V D-PAK |
| PHD63NQ03LT/T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PHD63NQ03LT118 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 68.9A 3-DPAK |
| PHD66NQ03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET |
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