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參數資料
| 型號： | PHM25NQ10T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS standard level FET |
| 中文描述： | 30.7 A, 100 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | 6 X 5 MM, 0.85 MM HEIGHT, PLASTIC, QLPAK, HVSON-8 |
| 文件頁數： | 10/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 284K |
| 代理商： | PHM25NQ10T |
Philips Semiconductors
PHM25NQ10T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 03 — 11 September 2003
10 of 13
9397 750 11843
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
8.
Soldering
Dimensions in mm.
Fig 15. Reflow soldering footprint for SOT685-1 (QLPAK).
handbook, full pagewidth
MGX371
0.75 (8
×
)
3.85
0.50 (8
×
)
0.40
0.15
2.025
2.35
6.40
0.60 (4
×
)
0.85 (4
×
)
0.40
0.05 SP around (4
×
)
2.60
5.40
6.25
1.27
2.30
7.00
7.25
1.525
3.45
2.175
1.40
1.905
4.60
5.90
6.00
2.50
0.075
solder lands
solder resist
placement area
solder paste
clearance
occupied area
Cu covered
with solder resist
0.150
0.050
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHN1011 | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHN1013 | N-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHN1015 | N-channel TrenchMOS transistor Logic level |
| PHN1018 | KPT00E14-5PF42 |
| PHN103 | N-channel enhancement mode MOS transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHM25NQ10T,518 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHM2825DL,115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHM2825DL/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel |
| PHM2930DL,115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHM2930DL/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel |
| PHM3 | 制造商:Panduit Corp 功能描述:TY-WRAP MACHINE HOSE |
| PHM3030DL,115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHM3030DL/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel |
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