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參數資料
| 型號： | PHN1018 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | KPT00E14-5PF42 |
| 中文描述： | 9.6 A, 25 V, 0.021 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA |
| 封裝： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件頁數： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | PHN1018 |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHN1018
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
)
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
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13
14
15
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Gate charge, QG (nC)
Gate-source voltage, VGS (V)
ID = 10A
Tj = 25 C
VDD = 15 V
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
Source-Drain Voltage, VSDS (V)
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
Source-Drain Diode Current, IF (A)
Tj = 25 C
150 C
VGS = 0 V
October 1999
5
Rev 1.200
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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