- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382392 > PHB119NQ06T (NXP SEMICONDUCTORS) N-channel TrenchMOS standard level FET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | PHB119NQ06T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS standard level FET |
| 中文描述： | 75 A, 55 V, 0.0071 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 1/13頁 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | PHB119NQ06T |
PHP/PHB119NQ06T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev. 01 — 05 May 2004
Product data
1.
Product profile
1.1 Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS technology.
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
[1]
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.
I
Standard level threshold
I
Very low on-state resistance.
I
Motors, lamps, solenoids
I
DC-to-DC converters
I
Uninterruptible power supplies
I
General industrial applications.
I
V
DS
≤
55 V
I
P
tot
≤
200 W
I
I
D
≤
75 A
I
R
DSon
≤
7.1 m
.
Table 1:
Pin
1
2
3
mb
Pinning - SOT78 (TO-220AB) and SOT404 (D
2
-PAK), simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
gate (g)
drain (d)
source (s)
mounting base;
connected to
drain (d)
Symbol
SOT78 (TO-220AB)
SOT404 (D
2
-PAK)
[1]
MBK106
1 2
mb
3
1
3
2
MBK116
mb
s
d
g
MBB076
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP130N03LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHP152NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHP152NQ03LTA | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PHP18N20E | PowerMOS transistor |
| PHP1N60 | PowerMOS transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHB119NQ06T /T3 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM)FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB119NQ06T,118 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM)FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB11N03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB11N06LT | 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述: |
| PHB11N06LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。