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參數資料
型號: PHB119NQ06T
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: JFETs
英文描述: N-channel TrenchMOS standard level FET
中文描述: 75 A, 55 V, 0.0071 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數: 9/13頁
文件大小: 94K
代理商: PHB119NQ06T
Philips Semiconductors
PHP/PHB119NQ06T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 05 May 2004
9 of 13
9397 750 13176
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
7.
Package outline
Fig 14. SOT78 (TO-220AB).
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT78
SC-46
3-lead TO-220AB
D
D1
q
p
L
1
2
3
L1
(1)
b1
e
e
b
0
5
10 mm
scale
Plastic single-ended package; heatsink mounted; 1 mounting hole; 3-lead TO-220AB
SOT78
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
A
E
A1
c
Note
1. Terminals in this zone are not tinned.
Q
L2
UNIT
A1
b1
D1
e
p
mm
2.54
q
Q
A
b
D
c
L2
max.
3.0
3.8
3.6
15.0
13.5
3.30
2.79
3.0
2.7
2.6
2.2
0.7
0.4
15.8
15.2
0.9
0.7
1.3
1.0
4.5
4.1
1.39
1.27
6.4
5.9
10.3
9.7
L1
(1)
E
L
00-09-07
01-02-16
mounting
base
相關PDF資料
PDF描述
PHP130N03LT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP152NQ03LT TrenchMOS logic level FET
PHP152NQ03LTA N-channel TrenchMOS logic level FET
PHP18N20E PowerMOS transistor
PHP1N60 PowerMOS transistor
相關代理商/技術參數
參數描述
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PHB119NQ06T,118 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM)FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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