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參數資料
型號: PHB119NQ06T
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: JFETs
英文描述: N-channel TrenchMOS standard level FET
中文描述: 75 A, 55 V, 0.0071 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數: 10/13頁
文件大小: 94K
代理商: PHB119NQ06T
Philips Semiconductors
PHP/PHB119NQ06T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 05 May 2004
10 of 13
9397 750 13176
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
Fig 15. SOT404 (D
2
-PAK).
UNIT
A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
A1
D1
D
max.
E
e
Lp
HD
Q
c
2.54
2.60
2.20
15.80
14.80
2.90
2.10
11
1.60
1.20
10.30
9.70
4.50
4.10
1.40
1.27
0.85
0.60
0.64
0.46
b
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
SOT404
0
2.5
5 mm
scale
Plastic single-ended surface mounted package (Philips version of D
2
-PAK); 3 leads
(one lead cropped)
SOT404
e
e
E
b
D1
HD
D
Q
Lp
c
A1
A
1
3
2
mounting
base
99-06-25
01-02-12
相關PDF資料
PDF描述
PHP130N03LT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP152NQ03LT TrenchMOS logic level FET
PHP152NQ03LTA N-channel TrenchMOS logic level FET
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PHP1N60 PowerMOS transistor
相關代理商/技術參數
參數描述
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PHB119NQ06T,118 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM)FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB11N03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
PHB11N06LT 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述:
PHB11N06LT,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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