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參數資料
| 型號： | PHP212L |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Dual P-channel enhancement mode MOS transistor |
| 中文描述： | 4000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | PHP212L |
1997 Jun 20
3
Philips Semiconductors
Objective specification
Dual P-channel enhancement
mode MOS transistor
PHP212L
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Notes
1.
2.
3.
4.
T
s
is the temperature at the soldering point of the drain lead.
Pulse width and duty cycle limited by maximum junction temperature.
Maximum permissible dissipation per MOS transistor. Both devices may be loaded up to 3.5 W at the same time.
Maximum permissible dissipation per MOS transistor. Device mounted on printed-circuit board with an R
th a-tp
(ambient to tie-point) of 27.5 K/W.
Maximum permissible dissipation per MOS transistor. Device mounted on printed-circuit board with an R
th a-tp
(ambient to tie-point) of 90 K/W.
Maximum permissible dissipation if only one MOS transistor dissipates. Device mounted on printed-circuit board with
an R
th a-tp
(ambient to tie-point) of 90 K/W.
5.
6.
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
Per P-channel
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
tot
drain-source voltage (DC)
gate-source voltage (DC)
drain current (DC)
peak drain current
total power dissipation
55
55
30
±
12
4
16
3.5
2.6
1.1
1.5
+150
+150
V
V
A
A
W
W
W
W
°
C
°
C
T
s
= 80
°
C; note 1
note 2
T
s
= 80
°
C; note 3
T
amb
= 25
°
C; note 4
T
amb
= 25
°
C; note 5
T
amb
= 25
°
C; note 6
T
stg
T
j
storage temperature
operating junction temperature
Source-drain diode
I
S
I
SM
source current (DC)
peak pulsed source current
T
s
= 80
°
C
note 2
2.6
10
A
A
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
20
K/W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP212 | Dual P-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHP21N06 | TrenchMOSO transistor Standard level FET |
| PHP21N06LT | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHP21N06T | TrenchMOSO transistor Standard level FET |
| PHP222 | Dual P-channel enhancement mode MOS transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHP212T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 4A I(D) | SO |
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| PHP21-3,81 | 功能描述:可插拔接線端子 HorizHd 3.81mm ClEnd RoHS:否 制造商:Phoenix Contact 產品:Plugs 系列:PTS 端接類型:Spring Cage 位置/觸點數量:5 線規量程:26-14 節距:5 mm 電流額定值:10 A 電壓額定值:250 V 安裝風格: 安裝角: 觸點電鍍: |
| PHP21-3.50 | 制造商:ALTECH CORP 功能描述:Conn;TermBlk;PCB;Header;SnglLvl;90DegAngl;Sldr;21Pole;3.5mmPitch;PHP-3.50Series |
| PHP21-5,00 | 功能描述:可插拔接線端子 PCBHEAD 5mm ClEnd RoHS:否 制造商:Phoenix Contact 產品:Plugs 系列:PTS 端接類型:Spring Cage 位置/觸點數量:5 線規量程:26-14 節距:5 mm 電流額定值:10 A 電壓額定值:250 V 安裝風格: 安裝角: 觸點電鍍: |
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