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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHP21N06T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOSO transistor Standard level FET |
| 中文描述： | 21 A, 55 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 65K |
| 代理商： | PHP21N06T |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHP21N06T
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL
W
DSS
PARAMETER
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
I
D
= 10 A; V
≤
25 V;
V
GS
= 10 V; R
GS
= 50
; T
mb
= 25 C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
30
UNIT
mJ
December 1997
3
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP222 | Dual P-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHP23NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHB23NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHD23NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHP23NQ15T | N-channel TrenchMOS transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHP21N06T,127 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP21N06T/B | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR UNIVERSAL MOSFET SOT |
| PHP222 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual P-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHP222NQ04LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOSTM logic level FET |
| PHP222NQ04LT,127 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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