- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382392 > PHP21N06T (NXP SEMICONDUCTORS) TrenchMOSO transistor Standard level FET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | PHP21N06T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOSO transistor Standard level FET |
| 中文描述： | 21 A, 55 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | PHP21N06T |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHP21N06T
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
mb
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
mb
); conditions: V
GS
≥
10 V
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1.0E-06
0.0001
0.01
1
100
0.01
0.1
1
10Zth/ (K/W)
t/s
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
ID/A
VDS/V
VGS/V =
16
14
12
10.0
9.5
9.0
8.5
8.0
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
1
10
100
1
10
100
tp =
1 us
10us
100 us
1 ms
10ms
100ms
VDS/V
RDS(ON) = VDS/ID
DC
ID/A
0
5
10
15
20
25
30
50
60
70
80
90
100
110
120RDS(ON)/mOhm
VGS/V =
6
6.5
7
8
9 10
ID/A
December 1997
4
Rev 1.100
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP222 | Dual P-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHP23NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHB23NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHD23NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHP23NQ15T | N-channel TrenchMOS transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHP21N06T,127 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP21N06T/B | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR UNIVERSAL MOSFET SOT |
| PHP222 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual P-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHP222NQ04LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOSTM logic level FET |
| PHP222NQ04LT,127 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。