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參數資料
| 型號： | PHP23NQ10T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS transistor |
| 中文描述： | 23 A, 100 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件頁數： | 3/12頁 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | PHP23NQ10T |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHP23NQ10T, PHB23NQ10T
PHD23NQ10T
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
23
A
-
-
92
A
I
F
= 11 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 11 A; -dI
F
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= 0 V; V
R
= 25 V
-
-
-
0.9
64
120
1.2
-
-
V
ns
nC
August 1999
3
Rev 1.100
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB23NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHD23NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHP23NQ15T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHB23NQ15T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHP24N03T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHP23NQ11T | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP23NQ11T,127 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP23NQ15T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor |
| PHP24 | 制造商:ProTek Devices 功能描述:Diode TVS Single Bi-Dir 34V 7.5KW 2-Pin 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 34V 7.5KW 2PIN CASE 11 - Bulk |
| PHP24-3,50 | 功能描述:可插拔接線端子 HorizHd 3.5mm ClEnd RoHS:否 制造商:Phoenix Contact 產品:Plugs 系列:PTS 端接類型:Spring Cage 位置/觸點數量:5 線規量程:26-14 節距:5 mm 電流額定值:10 A 電壓額定值:250 V 安裝風格: 安裝角: 觸點電鍍: |
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