- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382392 > PHP23NQ10T (NXP SEMICONDUCTORS) N-channel TrenchMOS transistor PDF資料下載
參數資料
| 型號： | PHP23NQ10T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS transistor |
| 中文描述： | 23 A, 100 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件頁數： | 5/12頁 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | PHP23NQ10T |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHP23NQ10T, PHB23NQ10T
PHD23NQ10T
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
)
Fig.8. Typical transconductance, T
j
= 25 C
g
fs
= f(I
D
)
Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance.
R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
)
Fig.10. Gate threshold voltage.
V
GS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig.11. Sub-threshold drain current.
I
D
= f(V
GS)
; conditions: T
j
= 25 C; V
DS
= V
GS
Fig.12. Typical capacitances, C
, C
, C
.
C = f(V
DS
); conditions: V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Gate-source voltage, VGS (V)
Drain current, ID (A)
VDS > ID X RDS(ON)
Tj = 25 C
175 C
Threshold Voltage, VGS(TO) (V)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
Junction Temperature, Tj (C)
typical
maximum
minimum
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
Drain current, ID (A)
Transconductance, gfs (S)
Tj = 25 C
175 C
VDS > ID X RDS(ON)
Drain current, ID (A)
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
Gate-source voltage, VGS (V)
minimum
typical
maximum
Normalised On-state Resistance
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
2.7
2.9
-60
-40
-20
0
Junction temperature, Tj (C)
20
40
60
80
100 120 140 160 180
10
100
1000
10000
0.1
1
10
100
Drain-Source Voltage, VDS (V)
Capacitances, Ciss, Coss, Crss (pF)
Ciss
Coss
Crss
August 1999
5
Rev 1.100
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB23NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHD23NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHP23NQ15T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHB23NQ15T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHP24N03T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHP23NQ11T | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP23NQ11T,127 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP23NQ15T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor |
| PHP24 | 制造商:ProTek Devices 功能描述:Diode TVS Single Bi-Dir 34V 7.5KW 2-Pin 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 34V 7.5KW 2PIN CASE 11 - Bulk |
| PHP24-3,50 | 功能描述:可插拔接線端子 HorizHd 3.5mm ClEnd RoHS:否 制造商:Phoenix Contact 產品:Plugs 系列:PTS 端接類型:Spring Cage 位置/觸點數量:5 線規量程:26-14 節距:5 mm 電流額定值:10 A 電壓額定值:250 V 安裝風格: 安裝角: 觸點電鍍: |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。