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參數資料
| 型號： | PHP3055 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS transistor |
| 中文描述： | N溝道TrenchMOS晶體管 |
| 文件頁數： | 3/10頁 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | PHP3055 |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHP3055E PHD3055E
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
10.3
A
-
-
41
A
I
F
= 10 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 10 A; -dI
F
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= 0 V; V
R
= 30 V
-
-
-
1.1
32
50
1.5
-
-
V
ns
nC
August 1999
3
Rev 1.200
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP3055E | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHP32N06L | N-channel enhancement mode field effect transistor |
| PHP32N06LT | N-channel enhancement mode field effect transistor |
| PHP36N06E | PowerMOS transistor |
| PHP3N20E | PowerMOS transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHP3055E | 功能描述:MOSFET RAIL PWRMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP3055E,127 | 功能描述:MOSFET RAIL PWRMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP3055L | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level FET |
| PHP3055L/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MOSFET TO-220 |
| PHP30NQ15T | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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