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參數(shù)資料
| 型號： | PHP3055 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS transistor |
| 中文描述： | N溝道TrenchMOS晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | PHP3055 |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHP3055E PHD3055E
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
)
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Maximum permissible non-repetitive
avalanche current (I
) versus avalanche time (t
AV
);
unclamped inductive load
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Gate charge, QG (nC)
Gate-source voltage, VGS (V)
ID = 10A
Tj = 25 C
VDD = 11 V
VDD = 44 V
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
Avalanche time, t
AV
(ms)
Maximum Avalanche Current, I
AS
(A)
Tj prior to avalanche = 150 C
25 C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
Source-Drain Voltage, VSDS (V)
Source-Drain Diode Current, IF (A)
Tj = 25 C
175 C
VGS = 0 V
August 1999
6
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP3055E | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHP32N06L | N-channel enhancement mode field effect transistor |
| PHP32N06LT | N-channel enhancement mode field effect transistor |
| PHP36N06E | PowerMOS transistor |
| PHP3N20E | PowerMOS transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHP3055E | 功能描述:MOSFET RAIL PWRMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP3055E,127 | 功能描述:MOSFET RAIL PWRMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP3055L | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level FET |
| PHP3055L/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MOSFET TO-220 |
| PHP30NQ15T | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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