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參數資料
| 型號： | PHP32N06LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode field effect transistor |
| 中文描述： | 34 A, 60 V, 0.043 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, SC-46, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/13頁 |
| 文件大小： | 274K |
| 代理商： | PHP32N06LT |
Philips Semiconductors
PHP32N06LT; PHB32N06LT
N-channel enhancement mode field effect transistor
Product data
Rev. 01 — 06 November 2001
4 of 13
9397 750 09024
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
7.
Thermal characteristics
7.1 Transient thermal impedance
Table 4:
Symbol Parameter
R
th(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
Thermal characteristics
Conditions
vertical in still air; SOT78 package
mounted on printed circuit board;
minimum footprint; SOT404 package
Figure 4
Value
60
50
Unit
K/W
K/W
R
th(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting base
1.55
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
03ah47
10-3
10-2
10-1
1
10
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
t
p
(s)
Z
th(j-mb)
(K/W)
single pulse
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP36N06E | PowerMOS transistor |
| PHP3N20E | PowerMOS transistor |
| PHP3N20L | PowerMOS transistor Logic level FET |
| PHP45N03LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHP45N03LTA | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHP32N06LT,127 | 功能描述:MOSFET RAIL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP33N10 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor |
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| PHP33NQ20T,127 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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