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參數資料
| 型號： | PHP45N03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| 中文描述： | 45 A, 25 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | PHP45N03LT |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP45N03LT
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL
W
DSS
PARAMETER
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
I
D
= 25 A; V
≤
25 V;
V
GS
= 10 V; R
GS
= 50
; T
mb
= 25 C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
60
UNIT
mJ
November 1997
3
Rev 1.200
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP45N03LTA | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PHP45NQ15T | N-channel TrenchMOS standard level FET |
| PHP47NQ10T | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PHP4N50E | PowerMOS transistor |
| PHP4ND40E | PowerMOS transistors FREDFET, Avalanche energy rated |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHP45N03LTA | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PHP45N03LTA,127 | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 40A TO220AB RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| PHP45N03T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHP45NQ10T | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP45NQ10T,127 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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