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參數資料
| 型號： | PHP50N06 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistor |
| 中文描述： | 52 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件頁數： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | PHP50N06 |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
PHP50N06
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 52 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
0
20
40
QG / nC
VGS / V
12
10
8
6
4
2
0
VDS / V =10
40
BUK456-50
0
1
2
BUK456-50A
VSDS / V
IF / A
100
50
0
25 C
150 C
August 1996
5
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP66NQ03LT | Turret Lug, for 1.6mm panel thickness |
| PHD66NQ03LT | Turret Lug, for 3.2mm panel thickness |
| PHP78NQ03LT | N-channel TrenchMOSTM logic level FET |
| PHU78NQ03LT | N-channel TrenchMOSTM logic level FET |
| PHP82NQ03LT | TrenchMOS⑩ logic level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHP50N06LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET |
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| PHP52N06T,127 | 功能描述:MOSFET RAIL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP54N06T | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP54N06T,127 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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