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參數資料
| 型號： | PHP50N06 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistor |
| 中文描述： | 52 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件頁數： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | PHP50N06 |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
PHP50N06
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 2 g
Fig.15. TO220AB; pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for TO220 envelopes.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
10,3
max
3,7
2,8
3,0
3,0 max
not tinned
1,3
max
(2x)
1 2 3
2,4
0,6
4,5
max
5,9
min
15,8
max
1,3
2,54 2,54
0,9 max (3x)
13,5
min
August 1996
6
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| PHD66NQ03LT | Turret Lug, for 3.2mm panel thickness |
| PHP78NQ03LT | N-channel TrenchMOSTM logic level FET |
| PHU78NQ03LT | N-channel TrenchMOSTM logic level FET |
| PHP82NQ03LT | TrenchMOS⑩ logic level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHP50N06LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET |
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| PHP52N06T,127 | 功能描述:MOSFET RAIL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP54N06T | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP54N06T,127 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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