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參數資料
| 型號： | PHX3055E |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS transistor |
| 中文描述： | 9 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | PHX3055E |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHX3055E
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
9
A
-
-
36
A
I
F
= 10 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 10 A; -dI
F
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= 0 V; V
R
= 30 V
-
-
-
1.1
32
50
1.5
-
-
V
ns
nC
August 1999
3
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHX3055L | PowerMOS transistor Logic level FET |
| PHX3N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHX3N60E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PI4884 | TrenchMOS logic level FET |
| PIP202-12M | DC to DC converter powertrain |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHX3055L | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level FET |
| PHX34NQ11T,127 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHX3N40E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHX3N50E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHX3N60E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
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